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本发明属于新材料制备技术领域，公开了一种阴离子交换膜制备方法，具体步骤如下：步骤S100.首先以SEBS颗粒原料为主要材料与三聚甲醛、三甲基氯硅烷及氯化锡反应生成氯甲基化的cmSEBS；步骤S200.然后将cmSEBS溶于二甲苯后置于模具中挥发铸膜；步骤S300.将cmSEBS膜浸泡在具有胺成分的溶液中进行反应，通过清洗得到目标AEM膜。本发明创造性的提出对于SEBS为主链的AEM，易于溶解的膜前驱体先铸膜，然后通过对应的反应将膜浸没在溶液中进行反应离子化，最后得到最终的膜产品的策略，解决了大多
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117339639A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311467299.7
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人天府新能源研究院
地址6100
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