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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-01-06 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    一种半导体器件，具有半导体衬底、半导体衬底上的BOX膜、BOX膜上的半导体层、穿透半导体层并且到达第一绝缘膜的第一沟槽，第一绝缘膜覆盖第一沟槽的侧表面并在第一沟槽的底部与BOX膜的上表面接触，在第一沟槽的底部形成的第二沟槽，以使第二沟槽穿过第一绝缘膜并且到达BOX膜中，第二绝缘膜填充在第一沟槽和第二沟槽中。第二沟槽的底表面被定位在低于半导体层与BOX膜之间的界面的BOX膜中，并且空隙位于第二绝缘膜中与界面相同的高度处。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117352534A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202310756652.7

    (22)申请日2023.06.26

    (30)优先权数据

    2022-108449202

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