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本发明公开一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法，所述装置包括：壳体；若干个炉体，间隔设置在壳体内；加热机构，包括水平设置在若干个炉体上部且具有从外到内螺距梯度增加的平面螺旋线结构的圆盘状感应线圈；升降旋转机构，设置在若干个炉体下部；若干个坩埚，分别设置在若干个炉体内，并设置在升降旋转机构上，且在不同半径的同心圆上；每个坩埚的顶端与圆盘状感应线圈之间的垂直距离均相等。本发明中多个坩埚可以满足同时生长多根晶体的需求，生产效率高。通过对感应线圈结构的合理设计，使其具有从外到内螺距梯度增加的平
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117344371A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311154033.7
(22)申请日2023.09.07
(71)申请人杭州富加镓业科技有限公司
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