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本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片,其中,所述LED芯片键合方法包括:提供发光二极管外延片,所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层;提供支撑基板,所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层;将所述外延片与基板键合在一起,形成第三键合层;其中,第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构,使得键合反应快速而充分地进行;所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352602A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311191810.5
(22)申请日2023.09.15
(71)申请人南昌大学
地址330038
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