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- 2024-01-06 发布于四川
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本申请提供一种半导体结构。该半导体结构包括一第一基底、设置于该第一基底上的一第一介电层、设置于该第一介电层上的一第一钝化层、以及设置于该第一钝化层上的一第二基底。该半导体结构还包括一第一密封环,嵌入在该第一介电层内并环绕该第一介电层的一电路区域。该半导体结构还包括一导热结构,嵌入在该第一钝化层内并通过一第一连接结构与该第一密封环相连。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352466A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202310768220.8
(22)申请日2023.06.27
(30)优先权数据
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