一种硅压力应变器件的分离方法.pdfVIP

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  • 2024-01-06 发布于四川
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本发明提供了一种硅压力应变器件的分离方法,包括:S1,准备已完成半导体工艺流程的硅晶圆,所述硅晶圆正面排列有制作好的硅压力应变器件;S2,将所述硅晶圆用粘合剂贴合到夹具上,所述硅晶圆的正面贴到所述贴片凹槽的底面;S3,将贴有所述硅晶圆的所述夹具放置于装有腐蚀剂溶液的容器内的支架上,所述夹具位于所述腐蚀剂溶液的上方且未接触到所述腐蚀剂溶液,所述硅晶圆的背面向下;S4,对所述容器内的腐蚀剂溶液进行加热,产生酸性气体腐蚀所述硅晶圆的背面;S5,将夹具取出并翻面放置于所述容器内的支架上,采用等离子化学反

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117342521A

(43)申请公布日2024.01.05

(21)申请号202311297488.4

(22)申请日2023.10.09

(71)申请人江苏致芯微电子技术有限公司

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