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本发明公开了一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；设于半导体衬底内的感光单元、浅槽隔离和深槽隔离，以及位于半导体衬底上第一介质层中的晶体管电路和金属互连层；位于半导体衬底上的抗反射层和第二介质层；位于第二介质层上的第三介质层，所述第三介质层包括倒梯形状的挡光栅格；且所述挡光栅格在所述深槽隔离上方；其中，挡光栅格的顶部宽度大于底部宽度，且挡光栅格的顶部远离所述感光单元。该结构能够解决背照式图像传感器的结构中的串扰，以及降低传统挡光栅格对正入射光的反射
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352523A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202211732766.X
(22)申请日2022.12.30
(71)申请人上海微阱电子科技有限公司
地址2
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