Ⅲ-Ⅴ族p沟道器件、凹槽栅结构的制作方法及应用.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.93万字
约 19页
2024-01-06 发布于四川
举报
版权申诉

Ⅲ-Ⅴ族p沟道器件、凹槽栅结构的制作方法及应用.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种Ⅲ‑Ⅴ族p沟道器件、凹槽栅结构的制作方法及应用。所述制作方法包括：提供外延结构，包括构成异质结的势垒层和沟道层，沟道层为p型掺杂；刻蚀形成凹槽；等离子体处理凹槽的底部，以使部分沟道层中的掺杂元素与等离子体反应；覆设连续的薄膜介质层并在表面制备栅极材料，形成凹槽栅结构。本发明通过对凹槽的底部的等离子体处理，使得沟道层的p型材料转化为不具有掺杂特性的本征材料，保留了一定厚度的本征层同时，还降低了沟道区域的p型掺杂，有利于实现增强型p‑FET更负的阈值电压；另外，由于沟道层厚度的增加，

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117352388A

(43)申请公布日2024.01.05

(21)申请号202311474329.7

(22)申请日2023.11.07

(71)申请人中国科学院苏州纳

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

用户编号：5333241143000144

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

Ⅲ-Ⅴ族p沟道器件、凹槽栅结构的制作方法及应用.pdfVIP