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国家标准《硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》

（审定稿）编制说明

一、工作简况

1、立项目的和意义

集成电路和光伏产业是信息技术产业的核心，是国家重要的基础性、先导性和战略性

产业，是推动国民经济和信息化发展最主要的高新技术。近10年来，我国的集成电路和

光伏产业发展迅猛，核心工艺技术水平和世界先进水平的差距不断缩小。

硅片是信息技术产业中半导体制造业的基础材料，硅片在制作使用过程中的金属杂质

控制与检测是关乎产品性能的重要手段与指标。在制造工艺生产过程中硅片表面极其少量

金属污染的存在都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，有统计表明，在电力电子元器

件和光伏产品制造业中50%产品良率的降低都是由于污染造成的，因此在制造生产过程中

对硅片表面杂质污染的控制极为重要，检测规范非常严格。随着ICP-MS（电感耦合等离

子体质谱分析法）技术的不断革新，以及其杰出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分

析能力，现已成为硅片表面污染测试监控中必不可少的手段。硅片表面污染测试既是硅片

制造过程中必不可少的监控手段，也是提升后道器件性能的重要方法与依据。电感耦合等

离子体质谱分析法通过不断