第四章-红外辐射源.ppt

******粒子数反转必须具备的条件：能量的供应过程激励（光泵浦）工作物质内必须存在亚稳态能级亚稳态不如基态稳定，但比激发态稳定。He,Ne,Ar,Ru,CO2等具有亚稳态，可实现粒子数反转。亚稳态E2基态E1激发态E3三能级系统示意图E1与E2之间产生以受激辐射为主的跃迁激励无辐射跃迁*光学谐振腔使某一方向、某一频率的辐射不断得到加强，其它方向、其它频率的辐射受到抑制的装置全反射镜M1部分反射镜M2激光工作物质作用选择激光的方向选择激光的频率激励能源*He-Ne激光器的工作原理激光器的基本构成及激光的形成具有亚稳态能级结构的工作物质、激励系统和光学谐振腔光束在谐振腔内来回震荡，在工作物质中的传播使光得以放大，并输出激光。反射镜反射镜阳极阴极布儒斯特窗毛细管工作物质：氦气辅助物质：氖气激励方式：直流气体放电*按输出方式分：单(连续)脉冲输出连续输出半导体激光器按工作物质分：气体激光器固体激光器液体激光器自由电子激光器激光器的分类激光器的组成和常见激光器Q开关输出*科研*红外发光二极管*一、P-N结基本原理1P-N结的形成与少子注入发光内建电场空间电荷区PN空穴电子扩散漂移*利用正向偏置PN结中电子与空穴的辐射复合发光的，是自发辐射发光，不需要较高的注入电流产生粒子数反转分布，也不需要光学谐振腔，发射的是非相干光。P-AIxGa1-xAsN-AIyGa1-yAsP-GaAs光输出双异质结半导体发光二极管的结构示意图*二、发光LED的外形与结构常见发光二极管外形按功率可分为小(100mw)、中(几百mw)、大(数w)三种，功率不同，外形也不同。小功率管多采用全塑封装，也有部分采用金属或陶瓷底座，顶端用玻璃或树脂透镜封装。中大功率管一般采用有螺纹的底座以便于安装在散热片或金属底座上。LED的P-N结采用三-五族元素，折射率比空气大，为防止全反射，在表面镀抗反射膜，前端有聚光镜可提高亮度。*1、面发光二极管有源区圆形金属触点SiO2绝缘层SiO2绝缘层金属化层热沉双异质结层衬底限制层接合材料金属化层光纤圆形蚀刻孔球透镜环氧树脂P层有源层N层发光区面发光二极管的结构示意图*2、边发光二极管金属化层(用于电接触)SiO2绝缘层双异质结热沉衬底导光层金属化层(用于电接触)条形接触(确定有源区)有源区边发光型LED的结构示意图*1.发光光谱三、发光LED的特性参数*2.温度特性LED的光学参数与PN结温度有很大的关系。一般工作在小电流I10mA，或者10～20mA长时间连续点亮LED温升不明显。若环境温度较高，LED的主波长λp就会向长波长漂移，L也会下降，大体上是温度每上升一度，发光效率就会相应的减少1％。LED的主波长随温度关系可表示为*通常发光二极管的外部发光效率均随温度上升而下降。右图表示GaP（绿色）、GaP（红色）、GaAsP三种发光二极管的相对光亮度Le,λ,r与温度t的关系曲线。*3.发光亮度与电流的关系发光二极管的发光亮度L是单位面积发光强度的量度。在辐射发光发生在P区的情况下，发光亮度L与电子扩散电流idn之间的关系为式中，τ是载流子辐射复合寿命τR和非辐射复合寿命τNR的函数如图所示为GaAsl—xPx、Gal—xAlxAs和GaP(绿色)发光二极管的发光亮度与电流密度的关系曲线。这些LED的亮度与电流密度近似成线性关系，且在很大范围内不易饱和。*4.最大工作电流若工作电流较小，LED发光效率随电流的增加而明显增加，但电流增大到一定值时，发光效率不再增加；相反，发光效率随电流的增大而降低。右图所示为发红光的GaP发光二极管内量子效率ηin的相对值与电流密度J及温度T的关系。随着电流密度的增加，pn结温度升高，将导致热扩散，使发光效率降低。*5.伏安特性LED的伏安特性如图所示，它与普通二极管的伏安特性大致相同。电压小于开启点的电压值时无电流，电压一超过开启点就显示出欧姆导通特性。这时，正向电流与电压的关系为i＝ioexp(eV/mkT)式中，m为复合因子。在较宽禁带的半导体中，当电流i0.1mA时，通过结内深能级进行复合的空间复合电流起支配作用，这时m＝2。电流增大后，扩散电流占优势时，m