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GaN基HEMT器件自支撑栅结构研究

摘要

氮化镓（GalliumNitride，GaN）基高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）具有高功率、高频率和高温度等优势，是当前研究的热点领域。本文主要研究GaN基HEMT器件中自支撑栅结构的设计和性能。通过对自支撑栅结构的原理和优势进行分析、设计、制备及测试，探讨了自支撑栅结构在GaN基HEMT器件中的应用前景。

1.引言

GaN基HEMT器件作为一种新型的功率器件在通信、雷达、电力和航天等领域有广泛的应用前景。然而，GaN材料的高电子迁移率以及其与Al