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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括：在n型氧化镓沟道层、源电极和金属掩膜的表面制备光刻胶，随后对光刻胶进行烘烤和回流处理，形成光刻胶斜面；在光刻胶斜面上垂直注入元素，形成在n型氧化镓沟道层内纵向梯形分布的离子注入区；在源电极和漏电极之间的n型氧化镓沟道层上制备栅介质；在离子注入区所对应的栅介质上制备栅电极，即得氧化镓场效应晶体管。本发明具有工艺简单，可控性好，可制备的光刻胶斜面夹角范围更大，注入的离子深度更深，能够实现更低的导通电阻。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117373925A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311205242.X
(22)申请日2023.09.18
(71)申请人中国电子科技集团
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