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本发明涉及一种单晶硅应力缺陷的无损检测方法，所属硅片检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在透射模式下使用偏振光检查由硅样品中的机械应力场引起的双折射，获取具有清晰可见应力场的完整晶圆图。第二步：得到突出显示缺陷区域的缺陷图和包含各个缺陷的坐标和大小的缺陷清单文件。第三步：以偏振应力成像方法为基础，使用交叉偏振片扫描全晶圆，通过测试晶圆上的应力场来检测晶体缺陷。第四步：根据缺陷查找算法进行自动缺陷分析，计算以平方毫米为单位的总缺陷面积和每个晶圆的缺陷面积的百分比BFA。实现对应力缺陷进行测试表
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117368220A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311350154.9
(22)申请日2023.10.18
(71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
地
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