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本申请公开了一种半导体器件的制备方法，半导体器件包括：衬底，第一凹槽，从衬底的顶面延伸至衬底内；氧化物半导体层，形成在第一凹槽的表面且延伸至衬底的顶面；栅氧化介质层，形成在氧化物半导体层的表面；导电层，形成在衬底上并填充第一凹槽；互连层，形成在导电层上；其中，氧化物半导体层、栅氧化介质层的形成方法包括：对互连层进行第一蚀刻以暴露出导电层或栅氧化介质层；继续进行第二蚀刻，以暴露出衬底，并采用氨水进行清洗。本申请由于第一步蚀刻未刻蚀栅氧化介质层和氧化物半导体层，清洗时，衬底顶面的栅氧化介质层和氧化物
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117374005A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311519582.X
(22)申请日2023.11.15
(71)申请人福建省晋华集成电
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