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本发明公开了一种非易失半导体存储器及其制备方法，属于半导体存储器领域。该器件包括衬底、控制栅、存储栅、源区和漏区，衬底位于最下方，具有第一掺杂类型；衬底上方设有源、漏区，源、漏区掺杂为与衬底掺杂类型相反的第二掺杂类型；源、漏区之间的区域为沟道，沟道区分为沟道区一和沟道区二，控制栅覆盖沟道区一，控制栅下表面与沟道区一上表面间为栅介质，在沟道区二上方覆盖铁电层，铁电层为具有铁电特性的材料构成的薄膜，存储栅位于铁电层正上方，控制栅连接字线，漏区连接位线，源区通过共源线接地，衬底接地，控制存储栅的电压改
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117377323A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311346874.8
(22)申请日2023.10.18
(71)申请人北京大学
地址100871
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