半导体行业系列专题(二)之碳化硅:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会.docxVIP

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  • 2024-01-13 发布于山西
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半导体行业系列专题(二)之碳化硅:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会.docx

半导体行业系列专题(二)之碳化硅:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会

分析师:邮箱:徐勇S1060519090004(证券投资咨询)

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徐勇S1060519090004(证券投资咨询)

XUYONG318@

证券研究报告

半导体行业系列专题(二)之碳化硅:衬底产能持续扩充,关注渗透加速下的国产化机会

电子行业强于大市

平安证券研究所TMT团队

2024年1月10日

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付强S1060520070001(证券投资咨询)

FUQIANG021@

1

禁带宽度热导率击穿电压电子饱和漂移速率X3倍X5倍X10倍X3倍相较Si材料性能突出,器件优势明显综合性能突出,替代趋势清晰相较Si器件总能量损耗低8

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