原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种实现单分子探测的碲化镓基表面增强拉曼基底及其制备方法，基底结构从下至上依次为Au孔阵列层，二维薄层GaTe层和Au纳米颗粒层，本发明在SiO2/Si基底层上，通过热蒸发的方法生长Ti层或Cr层，利用光刻和微纳加工方法制备Au孔阵列层，利用机械剥离的方法制备二维薄层GaTe层，并利用转移平台转移到Au孔阵列层上，最后将基底浸没在HAuCl4溶液中制备Au纳米颗粒层。本发明得益于GaTe材料较高的缺陷密度，在二维薄层GaTe层上自组装形成的金纳米颗粒层覆盖率能达到98％，此基底对R6
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111650177A
(43)申请公布日
2020.09.11
(21)申请号20201
文档评论（0）