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本发明提供一种掩模板及其制备方法。其中,所述掩模板包括基板以及依次层叠于所述基板上的遮光层、粘附层和减反层;其中,所述遮光层的材质包括拓扑绝缘体Sb2Te3和/或Sb2Te3同族化合物。相较于现有技术,本发明提供的所述掩模板利用拓扑绝缘体材料来替代传统的金属遮挡材料。鉴于所述拓扑绝缘体特殊的物理结构,使其具有良好的光学特性。且本发明优选的拓扑绝缘体Sb2Te3和/或Sb2Te3同族化合物具有较高的消光系数,尤其是针对i线能够在超薄状态下满足较高分辨率的光刻需求,有效缓解因膜层厚度过高而导致的掩模
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117369208A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311493389.3
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人上海传芯半导体有限公司
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