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本发明涉及芯片缺陷检测技术领域,具体涉及一种半导体激光器芯片腔体缺陷检测系统及检测方法。所述半导体激光器芯片腔体缺陷检测系统的激光源发射的激光经过耦合器分流为若干路,分别依次经过三口环形器和尾纤照射至被检测芯片表面,反射光依次经过尾纤和三口环形器到达光电二极管,光电二极管将反射光转换为电信号并通过采集模块传递给示波器,通过示波器图像读取反射光的反射率,根据反射率即可定位被检测芯片有源区的缺陷区域。采用本装置能够将被检测芯片的有源区划分为若干与尾纤一一对应的区域并进行同步监测,缩小了研究范围,使得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117368219A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311343471.8
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人太原理工大学
地址030024
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