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2024-01-10 发布于四川
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本发明提供了一种发光器件，发光器件包括：基底、第一掩膜层、第一外延层与发光结构；第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于与第一窗口在基底所在平面上的正投影的面积；第一外延层自基底外延生长至填满第一窗口；发光结构位于第一外延层与第一掩膜层上。根据本发明的实施例，使用具有第一掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底，利用第一窗口的内收侧壁，使得外延生长的GaN基材料的位错终止在第一窗口的侧壁，无法在第一窗口外继续延伸。因而

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117374185A

(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202210762924.X

(22)申请日2022.06.30

(71)申请人苏州晶湛半导体有限公司

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