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本发明提供了双向二极管及其制作方法，该方法包括：在半导体衬底上形成间隔开的间隔层，在半导体衬底中形成位于相邻两个间隔层之间的有源区，有源区具有第一类型掺杂，在间隔层的侧壁形成侧壁结构，侧壁结构位于有源区上方，使用两次掩模分别在有源区中形成第一类型掺杂区及位于第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区，使得每一侧的第二类型掺杂区与第一类型掺杂区接触连接并在远离第一类型掺杂区的方向上不超出有源区。在该实施例中，侧壁结构相当于增加了间隔层的宽度，有利于实现第二类型掺杂区横向扩散不超出有源区，降低甚至避免出现双
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117373922A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311606082.X
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人上海先进半导体制造有限公司
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