一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法.pdfVIP

一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法,属于高熵碳化物薄膜技术领域,该薄膜通过使用直流磁控溅射技术共溅射四元合金靶和石墨靶,制备出的薄膜致密且具有柱状晶结构,薄膜中各元素的原子百分比含量经计算分别为Hf18.34%~21.01%、Mo16.02%~18.23%、Nb15.54%~17.52%、Zr16.23%~17.81%、C25.43%~33.87%。本发明通过在高熵合金薄膜中掺杂碳元素,可以有效改善高熵合金薄膜的力学性能和耐磨性,制备出的高熵碳化物薄膜具有较

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117364040A

(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202311335266.7

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人贵州大学

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