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本发明属于PZT压电陶瓷材料技术领域,公开了基于晶粒结构优化的高性能PZT压电陶瓷材料及其制备方法,基本组分是PZT和Sb2O3或MnO2。Sb2O3的含量在0.6~0.8wt%时陶瓷晶面最完整,最致密;Sb2O3在PZT钙钛矿晶格中的固溶度约为0.6wt%;掺锰0.5wt%的PZT可于1200℃烧结成致密陶瓷,体积密度达7.8g·cm‑3。适量的Sb2O3促进了体系中三方‑四方相转变,并显著提高陶瓷的压电性能。本发明揭示锰掺杂改性的微观机制,并获得满足多层压电陶瓷变压器需要的低烧高性能压电材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117383935A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311592109.4
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人电子科技大学长三角研究院(湖州)
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