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本发明公开一种针对复合介质栅光敏探测器的加压方法。该方法包括：对于P型MOS电容，曝光时通过控制栅极加非负的电压、衬底加负电压形成耗尽区，实现对光电子的收集，而源极和漏极加非负的电压使源极和衬底、漏极和衬底的PN结反偏，降低暗电流，同时源极和漏极所加电压相同，以防止MOS电容产生亚阈值导通；加压的具体顺序为：首先对深槽隔离区加上负电压，然后依次对衬底、控制栅极、源极和漏极加压，其中，对深槽隔离区加的负电压数值比衬底加的负电压数值低。本发明的加压方法在保证探测器其他特性不恶化的同时，使复合介质栅光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117395526A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311233788.6
(22)申请日2023.09.23
(71)申请人南京大学
地址210046
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