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本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：二极管部；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的阳极区，其设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的正面侧的位置；以及沟槽接触部，其在所述二极管部中设置于所述半导体基板的正面，在所述半导体基板的深度方向上，与所述沟槽接触部的底部相同的深度处的所述阳极区的掺杂浓度为1E16cm‑3以上且1E17cm‑3以下。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393560A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202310583870.5
(22)申请日2023.05.23
(30)优先权数据
2022-1111462
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