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2024-01-13 发布于四川
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一种GaN基半导体激光元件.pdf

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本发明提供了一种GaN基半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下波导层的压电极化系数分布具有函数y＝x‑a第三象限的曲线分布；所述下波导层的晶格常数分布具有函数y＝x‑c第三象限的曲线分布；其中，a和c均为大于等于1的奇数。本发明提供的一种GaN基半导体激光元件，通过对下波导层压电极化系数分布及晶格常数分布的设置，可以增强激光元件的电子限制效应，避免电子往上波导层一侧泄漏，降低阈值电流密度，实现激光元件斜率效率和光功率的有效提升。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117394139A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202311577878.7

(22)申请日2023.11.24

(71)申请人安徽格恩半导体有限公司

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