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本发明提供一种基于硫系材料的激光加工方法及集成光子器件，涉及集成光子芯片加工技术领域。该基于硫系材料的激光加工方法包括：获取预设尺寸的介质基底，并清洗所述介质基底；在所述介质基底的表面制备均匀致密的硫化物薄膜；根据预设加工图案获得预设能量分布图案的激光光斑；根据所述预设加工图案生成激光光斑扫描参数；通过所述激光光斑依据所述光斑扫描参数对所述硫化物薄膜进行无刻蚀激光氧化加工，获得硫系集成光子器件。该基于硫系材料的激光加工方法可以实现显著简化集成光子芯片加工流程，提高光子芯片加工效率的技术效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117381146A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311687972.8
(22)申请日2023.12.11
(71)申请人中山大学
地址510275
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