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本发明提供了一种用于制备HBT器件的半导体器件的制备方法，应用于半导体工艺领域中。具体的，其在填充完用于定义HBT器件的发射极的牺牲发射极窗口之后，并没有按照常规的做法对其进行多次干法刻蚀，从而先使牺牲发射极窗口两侧的氧化物层与其顶面齐平，之后，在刻蚀去除填充在所述牺牲发射极窗口内的虚拟电极层，而是通过平坦化工艺代替一步所述刻蚀工艺，即利用化学机械研磨工艺实现所述牺牲发射极窗口两侧的氧化物层与其顶面齐平的目的，进而实现在利用牺牲发射极窗口定义HBT器件中的发射极窗口的制备过程中，通过引入一步平坦
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393431A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311424433.5
(22)申请日2023.10.30
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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