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带环绕式栅极晶体管一次编程存储单元.pdfVIP

带环绕式栅极晶体管一次编程存储单元.pdf

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    本发明公开一种用于物理不可复制技术的带环绕式栅极晶体管一次编程存储单元，其中反熔丝型一次编程存储单元，至少包括：一第一纳米线、一第二纳米线、一第一第一栅极结构、一第一漏/源结构与一第二漏/源结构。第一栅极结构包括：一第一栅极介电层、一第二栅极介电层与一第一栅极层。第一纳米线被第一栅极介电层所环绕。第二纳米线被第二栅极介电层所环绕。第一栅极介电层与第二栅极介电层被第一栅极层所环绕。第一漏/源结构电性接触于第一纳米线的第一端与第二纳米线的第一端。第二漏/源结构电性接触于第一纳米线的第二端。第二漏/源

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117393021A

    (43)申请公布日2024.01.12

    (21)申请号202310833020.6

    (22)申请日2023.07.07

    (30)优先权数据

    63/388,2582022

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