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2024-01-13 发布于四川
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半导体结构及其形成方法、存储器.pdf

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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、多个第一半导体层和多个第二半导体层；形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙和第二侧墙均包括支撑层及形成于支撑层的侧壁的隔离层；形成多个由第一侧墙、第二侧墙及第二半导体层分隔出的凹部，各凹部均沿水平方向延伸，且多个凹部沿竖直方向堆叠分布；在各凹部内分别形成第一导电层及填充层；去除位于第一侧墙远离第二侧墙的一侧的隔离层及第二侧墙远离第一侧墙的一侧的隔离层；去除位于靠近支撑层的一侧的各凹部的底部

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117395987A

(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202210773003.3

(22)申请日2022.06.30

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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