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本发明涉及传感器技术领域，具体公开了一种磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器。该磁阻元件包括串联耦合的第一元件部与第二元件部；第一元件部包含一个以上的第一单位元件；第二元件部包含一个以上的第二单位元件；第一单位元件包括具有第一闭合涡旋磁化图案的第一自由层以及具有第二闭合涡旋磁化图案的第一参考层，用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第一信号；第二单位元件包括具有第三闭合涡旋磁化图案的第二自由层以及具有第四闭合涡旋磁化图案的第二参考层，用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第二信号
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117388768A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311590257.2
(22)申请日2023.11.24
(71)申请人珠海多创科技有限
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