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本申请提供一种发光二极管器件及晶圆结构，发光二极管器件包括基板、结构层、发光二极管台面和外延台面，基板的第一表面具有第一区域和围绕第一区域的第二区域；结构层覆盖于第一区域和第二区域，结构层至少包括自下而上依次叠置的电极层、第二绝缘层和第一绝缘层；发光二极管台面和外延台面分别设置于第一区域和第二区域的结构层上方，均包括半导体外延层，外延台面下方的结构层中的第一绝缘层具有第一间断区域，第一间断区域设置第二绝缘层。第一间断区域可以释放应力，减小应力累积；第一间断区域位于外延台面下方，防止第一间断区域刻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117393677A
(43)申请公布日2024.01.12
(21)申请号202311421506.5
(22)申请日2023.10.30
(71)申请人泉州三安半导体科技有限公司
地址
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