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深亚微米高压集成电路中LDMOS的建模与工艺集成的开题报告

1.选题背景和研究意义

深亚微米高压集成电路是当前电子技术的热点领域之一，而其中LDMOS(LateralDouble-diffusedMOS)是最常用的高压MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管器件之一。然而，由于LDMOS器件结构复杂、制程难度高等性质，建模和工艺集成一直是该领域的研究热点。

本文旨在研究深亚微米LDMOS器件的建模和工艺集成，对于优化器件性能，提高器件稳定性，扩大电路应用领域具有重要意义。

2.研究内容和技术路线

本文拟从以下两个方面展开研究:

（1）LDMOS器件的建模

通过对LDMOS器件的物理特性和基础理论的分析，针对不同的工艺参数和结构进行建模，从而得到高精度的电路仿真模型，提高器件设计的准确性和可靠性。预计使用SilvacoTCAD软件进行器件仿真和分析。

（2）LDMOS器件的工艺集成

通过对LDMOS器件的制程流程优化，提高其工艺可控性和生产效率。例如采用低介电常数材料、优化工艺条件、改进清洗等方法，达到降低能耗、提高器件速度、稳定性和可靠性的效果。预计基于国内外最新的封装技术进行器件的测试和评估。

3.预期研究成果

本文的预期研究成果主要包括：

（1）提出一套高精度的LDMOS器件仿真模型，包括静态和动态特性。

（2）研究并优化LDMOS器件的制程流程，提高器件的性能和可靠性。

（3）对研究成果进行验证和评估，提供深亚微米高压集成电路设计的理论和实践基础。

4.研究计划和期望的进展

本文的研究计划分为以下三个阶段：

（1）文献综述和LDMOS器件研究现状分析，预计用时1个月。

（2）LDMOS器件的建模，预计用时6个月。

（3）LDMOS器件的制程优化和测试评估，预计用时8个月。

我们期望在本文的研究过程中能够解决一些关键问题，提升深亚微米高压集成电路中LDMOS器件的性能和稳定性，为今后的相关研究和应用提供基础和指导。