第二章-固体材料表面与界面电子过程.pptVIP

*特点：1）随着D的减小，靠近半导体一侧的金属表面负电荷密度增加，同时，靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随之增加。2）由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。(c)紧密接触表面势：在空间电荷区内便存在一定的电场，造成能带弯曲，使半导体表面和内部之间存在电势差Vs，即表面势。接触电势差一部分降落在空间电荷区，另一部分降落在金属和半导体表面之间，于是有＝Vms＋VsVm金属的电势；V?s半导体电势；Vms:接触电势；Vs:表面电势*若D小到可以与原子间距相比较，电子就可自由穿过间隙，这时Vms很小，接触电势差绝大部分降落在空间电荷区。特点：1）(Ws-Wm)/q=Vs。d）忽略间隙3)金属一边的势垒高度：qns=qVD+En=-qVs+En=Wm-Ws+En=Wm-2)半导体一边的势垒高度为qVD=-qVs=Wm-Ws*4)半导体表面形成一个正的空间电荷区，电场体内指向表面；Vs?0,半导体表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，形成表面势垒。势垒空间中空间电荷由电离施主形成，电子浓度比体内小，形成一个阻挡层。*n型Ge、Si，GaAs的测量值(300K)*3.3表面势与表面态***