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本发明提供了一种具有软恢复特性的RC‑IGBT器件及制造方法，从FRD软度及击穿电压两个方面进行改善，调整RC‑IGBT掺杂分布结构，降低FRD区域的击穿电压，使器件在反向偏置过程中，雪崩击穿优先发生在FRD区域，起到对器件IGBT的保护作用。同时在FRD区域加入P型控制区并隐埋在N‑区中，形成隐埋型P浮置区。在反向恢复过程中，P控制区与n场截止层形成PN结会向FS层注入空穴，且注入效率随器件两端电压的上升而增大，从而使器件具有较软的反向恢复特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410326A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311567288.6
(22)申请日2023.11.22
(71)申请人陕西华茂半导体科技有限公司
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