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一种晶硅底电池及其制备方法和叠层电池.pdfVIP

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  • 2024-01-17 发布于四川
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一种晶硅底电池及其制备方法和叠层电池.pdf

    本发明提供一种晶硅底电池及其制备方法和叠层电池，制备方法包括以下步骤：准备硅片，在硅片正面生长正面超薄氧化硅层；以笑气和硅烷为反应气体，采用等离子体增强的化学气相沉积法在正面超薄氧化硅层表面沉积p型掺氧非晶硅层；在硅片背面生长背面超薄氧化硅层；在背面超薄氧化硅层表面沉积n型非晶硅层；高温结晶退火，形成p型掺氧多晶硅层和n型多晶硅层；进行加氢处理；制备正面透明导电氧化物层；制备背面金属电极。本发明在非晶硅沉积过程中原位引入氧元素，以p型掺氧多晶硅层与超薄氧化硅组成晶硅底电池的正面TOPCon结构，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117410373A

    (43)申请公布日2024.01.16

    (21)申请号202311219714.7H10K39/15(2023.01)

    (22)申请日2023.09.

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