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- 2024-01-17 发布于四川
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本发明提供一种窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，包括制备谱带无镉发光半导体纳米晶使用的药品为I族、Ⅲ族金属盐及Ⅵ族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽(FWHM)小于45nm；光致发光峰位于540nm‑585nm区间。本发明实现了I‑III‑VI族半导体纳米晶FWHM小于45nm的窄谱带发光；在维持光致发光峰的FWHM均小于45nm同时，实现了光谱范围在540‑585nm内范围可调，获得了绿、黄、橙三种AIS@GaSx半导体纳米晶；所使用的合成方案产物随反应时间增加不
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115011333A
(43)申请公布日2022.09.06
(21)申请号202210601670.3
(22)申请日2022.05.30
(71)申请人北京交通大学
地址100044
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