薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构.pdf

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本公开涉及一种薄膜结构及其制备方法、图案转移方法及半导体结构，包括：提供基底；在预设气体的氛围下于所述基底上形成第一预设厚度的类金刚石碳膜层；采用热扩散方法经由所述类金刚石碳膜层的顶面向其内掺杂硼族元素，以得到第二预设厚度的掺杂层，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度。本公开提供的薄膜结构不仅具有更高的选择比及更高的硬度，还具有更好的稳定性、抗氧化性以及耐磨性能，采用此薄膜结构作为掩膜层进行刻蚀工艺，能够在降低光刻胶的高度的同时保证图案转移的精确度，防止图案畸变，并避免光刻胶过高从而造成倒塌的现

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410171A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202210801536.8

(22)申请日2022.07.08

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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