- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请涉及一种束流分布监测装置、分子束外延设备及束流分布监测方法,属于半导体外延技术领域。包括:监测部件,用于监测源炉喷射的束流强度,包括位于真空腔室内的测量端和伸出真空腔室的传递端,传递端用于传递监测数据;监测部件能在真空腔室内运动,以调整测量端的测量位置;动力部件,用于驱动监测部件在真空腔室内的运动;动力部件的动力输出端连接监测部件的传递端,并通过对传递端的施力,驱动监测部件在真空腔室内,按预设的多个位置进行多次间歇运动或按预设的速度匀速运动。本申请的技术方案,能更好、更全面的监测真空腔室内
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117406263A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311303443.3
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人埃特曼半导体技术有限公司
地址
文档评论(0)