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《半导体物理学》习题库

第1章思考题和习题

300K时硅的晶格常数a=5.43?，求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少？

综述半导体材料的根本特性及Si、GaAs的晶格构造和特征。

画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图，并对它们的导电性能作出定性解释。

以硅为例，简述半导体能带的形成过程。

证明本征半导体的本征费米能级E

i

位于禁带中心。

简述迁移率、集中长度的物理意义。

室温下硅的有效态密度Nc=2.8×1019cm-3,κT=0.026eV,禁带宽度Eg=1.12eV，假设无视禁带宽度随温度的变化，求：

计算77K、300K、473K3个温度下的本征