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半导体量子点发光

半导体量子点发光

、半导体量子点的定义

当半导体的三维尺寸都小于或接近其相应物质体相材料激子的玻尔半径

Energy

图IJ块状（三维）和二雄*-维、零维纳米结构半导体材料的态密度示意图°二维是连

续能级，而零维则变成分立能级，

（约5.3nm）时，称为半导体量子点。

二、半导体量子点的原理

在光照下，半导体中的电子吸收一定能量的光子而被激发，处于激发态的电子向较低能级跃迁，以光福射的形式释放出能量。大多数情况下，半导体的光学跃迁发生在带边，也就是说光学跃迁通常发生在价带顶和导带底附近。半导体的能带结构可以用图的简化模型来表示。如图所示，直接带隙是指价带顶的能量位置和导带底的能量位置同处于一个K空间，间接带隙是指价带顶位置与导带底位置的K空间位置不同。电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，这是半导体的发光现象。

Wi.s本征半导悻的能带姑村.

J如挨帮；U间接苗：c简化的能带搦早一

对于半导体量子点，电子吸收光子而发生跃迁，电子越过禁带跃迁入空的导带，而在原来的价带中留下一个空穴，形成电子空穴对(即激子)，由于量子点在三维度上对激子施加量子限制，激子只能在三维势垒限定的势盒中运动，这样在量子点中，激子的运动完全量子化了，只能取分立的束缚能态。激子通过不同的方式复合，从而导致发光现象。原理示意图，如图所示，激子的复合途径主要有三种形式。