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半导体激光器

摘要：由于三五族化合物工艺的发展与半导体激光器的多种优点，近几十年来，半导体激光器发展十分迅速，而且在各个领域发挥着越来越重要的作用。本文将介绍半导体激光器的基本理论原理、相关发展历程、研究现状以及其广泛的应用。

关键词：半导体激光器；研究现状；应用

弓I言

自1962年世界上第一台半导体激光器发明问世以来,半导体激光器发生了巨大的变化，极大地推动了其他科学技术的发展,被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一［1］,近十几年来，半导体激光器的发展更为迅速,已成为世界上发展最快的一门激光技术［2］。激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱(单、多量子阱)等多种形式，制作方法从扩散法发展到液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺［3］。由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制及价格低廉等优点使得它目前在各个领域中应用非常广泛。

半导体激光器的基本理论原理

半导体激光器又称激光二极管(LD)。它的实现并不是只是一个研究工作者的或小组的功劳，事实上，半导体激光器的基本理论也是一大批科研人员共同智慧的结品。

早在1953年，美国的冯?纽曼(JohnVonNeumann)在一篇未发表的手稿中第一个论述了在半导