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本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底进行清洗制绒处理；在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层；在正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层；采用RPD设备在P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层，利用PVD设备在背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜；利用PVD设备在N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层，并在正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜；以及分别制备背面电极、正面电极。本申请可以有效增加RPD与PVD结合设备的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423781A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311619461.2
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人天合光能股份有限公司
地址21
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