1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种转接板及其形成方法、封装结构.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.08万字
  • 约 10页
  • 2024-01-20 发布于四川
  • 举报

一种转接板及其形成方法、封装结构.pdf

    本申请提供一种转接板及其形成方法、封装结构，所述转接板包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底中包括若干贯穿所述碳化硅衬底的通孔；位于所述通孔侧壁的石墨烯层，所述石墨烯层为单晶结构；填满所述通孔的填充层。本申请提供一种转接板及其形成方法、封装结构，利用高温退火使通孔侧壁的部分碳化硅中的硅原子蒸发剩余碳原子在通孔侧壁形成具有特定晶格结构的石墨烯层，可以提高碳化硅转接板的通孔石墨烯层的质量和导电性能。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117423625A

    (43)申请公布日2024.01.19

    (21)申请号202311476179.3

    (22)申请日2023.11.08

    (71)申请人顾赢速科技（合肥

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >