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薄膜晶体管及其制备方法、存储器件.pdfVIP

薄膜晶体管及其制备方法、存储器件.pdf

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    本申请实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、存储器件。该制备方法包括：提供基底；于基底上形成氧化物半导体层，氧化物半导体层包括沟道预设区以及位于沟道预设区相对两侧的源极预设区和漏极预设区；于沟道预设区上形成牺牲栅层；于源极预设区和漏极预设区上形成还原层；采用退火工艺，以使还原层对源极预设区和漏极预设区进行导体化处理，形成源极区和漏极区；于源极区和漏极区上形成保护层；去除牺牲栅层，并对沟道预设区进行氧化处理，形成沟道区。通过退火工艺使得还原层对氧化物半导体层进行导体化处理，使得源极区和漏极区更接近

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117423752A

    (43)申请公布日2024.01.19

    (21)申请号202211665837.9

    (22)申请日2022.12.23

    (71)申请人北京超弦存储器研究院

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