一种存储单元、阵列和存储单元的制作方法.pdfVIP

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2024-01-20 发布于四川
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一种存储单元、阵列和存储单元的制作方法.pdf

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本申请实施例涉及半导体技术，公开了一种存储单元、阵列和存储单元的制作方法，该存储单元包括：在衬底上堆叠的参考电压层、读晶体管、读位线、读字线、读位线、写晶体管、写位线和写字线；读晶体管沟道层环绕读晶体管第一栅极侧壁，读晶体管第二栅极环绕于读晶体管沟道层外侧四周，第二栅极与读字线相连；读位线平行衬底平面沿第一方向延伸；写晶体管沟道层环绕第三栅极侧壁形成环绕型沟道层；写位线环绕于写晶体管沟道层外侧四周沿第一方向延伸；写晶体管沟道层与第一栅极相连；读字线和写字线平行衬底平面沿第二方向延伸。该实施例方案

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117425336A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202211651265.9

(22)申请日2022.12.21

(71)申请人北京超弦存储器研究院

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