原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器及制备方法，该激光器包括：泵浦光源、增益芯片和输出耦合镜泵浦光源用于发射泵浦光；增益芯片设于泵浦光的光路上，包括表面光栅反射镜，用于在泵浦光的激发下产生激光，并通过表面光栅反射镜将激光垂直或以特定角度反射出增益芯片表面；输出耦合镜，设于激光的出射光路上，用于与表面光栅反射镜共同构成谐振腔，使激光在谐振腔内发生振荡进行增益放大，并将激光透射输出。该激光器大大降低了增益芯片上反射镜的厚度，提高了反射镜的反射带宽，降低了反射镜的热阻，有利于提高激
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117424069A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311499426.1
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人中国科学院半导体研究所
地址1
文档评论（0）