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本发明中公开了一种在金刚石表面原位生长石墨烯的方法，将金属锰片和单晶金刚石放置于装置中，所述单晶金刚石水平悬置在金属锰片的上方；将装置抽高真空后密封，再加热使金属锰片气化，催化金刚石表面原位sp3‑C到sp2‑C的转化，即在单晶金刚石表面原位覆盖生长石墨烯。本发明中设置了一个气相金属和金刚石共存的催化界面，通过气相金属法一步完成在金刚石表面催化生长石墨烯的过程，能够在单晶金刚石表面制备层数可控的高质量石墨烯，制备的石墨烯薄膜覆盖率高，均匀性好；且生产工艺简单，步骤较少，成本较低，容易实现，有利于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117418317A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311381106.6
(22)申请日2023.10.23
(71)申请人西南科技大学
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