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本发明提供了一种存储器及其控制方法，存储器包括：闪存芯片，闪存芯片中划分出多个存储块，且存储块包括多个存储单元；磨损管理模块，磨损管理模块中记录存储块的读取次数和擦除次数；纠错模块，在从闪存芯片中读出数据时，纠错模块对比读出数据和原始数据，并获得读出数据的纠错码；以及阈值调整模块，阈值调整模块中存储多个擦除阶数和多个读取阈值，其中多个读取阈值呈等差分布，当存储块的擦除次数达擦除阶数，阈值调整模块遍历读取存储块的存储单元，并在纠错码的错误比特数大于纠错阈值时，减小读取阈值的等差增量。本发明的提供了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117420963A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311734026.4
(22)申请日2023.12.18
(71)申请人合肥康芯威存储技术有限公司
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