GB/T 42706.2-2023电子元器件　半导体器件长期贮存　第2部分:退化机理.pdf

ICS31.020

CCSL40

道B

中华人民共和国国家标准

GB/T42706.2-2023/IEC62435-2:2017

电子元器件半导体器件长期贮存

第2部分：退化机理

Electroniccomponents-Long-termstorageofelectronicsemiconductordevices一

Part2:Deteriorationmechanisms

(IEC62435-2:2017,IDT)

2023-05-23发布

2023-09-01实施

国家市场监督管理总局毕＋

国家标准化管理委员会QC.llJ

GB/T42706.2一2023/IEC62435-2:2017

目次

前言.........………..III

引言…............….........….........……....N

1范围…

2规范性引用文件...

3术语、定义和缩略语

3.1术语和定义

3.2缩略语

4退化类型…··”.......••!••••!•.....山山川．．．．．．，．．．，．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．…2

4.1概述....….........………2

4.2引线镀层的可焊性和氧化..............

4.3“爆米花”效应

4.4分层

4.5腐蚀和变色…..….......…..…....2

4.6静电影响….........................…….2

4.7高能电离辐射损伤………..……..….2

4.8贮存温度对半导体器件的风险......…..............…........................…….3

4.9贵金属镀层

4.10雾锡和其他镀层..........……...

4.11焊料球和焊料凸点...…………·

4.12含可编程闪存、可编程逻辑单元的器件和其他含非易失性存储单元的器件….3

5元器件的技术验证…………….....….........…·…….…3

5.1目的………….....………………..……………….........……·……3

5.2试验选择准则….……….3

5.3测量和试验........…....…..........…..4

5.4定期评价

附录A（规范性〉封装和未封装有源元器件的失效机理.....…..…·……7

参考文献……·…………….9